| Sistema óptico | Sistema óptico | Haz único | Doble Haz |
| monocromador | Tipo Czerny-Turner, distancia focal de 350 mm. |
| Rejilla | Rejilla 1800 líneas/mm, longitud de onda de centelleo 250 nm |
| Ancho de banda espectral (nm) | 0,1, 0,2, 0,4, 0,7, 1,4, 2 nm |
| Selección de hendidura automatizada |
| Rango de longitud de onda (nm) | 185-900nm |
| Precisión de longitud de onda (nm) | 0,20 nanómetro | 0,15 nm |
| Repetibilidad de longitud de onda (nm) | ≤0,10 nm | ≤0,05 nm |
| Desviación del ancho de banda espectral | ±0,02 nm |
| Soporte de lámpara | 8 |
| Tipo de lámpara de elemento | Lámpara Cu, lámpara Cd (accesorio estándar) |
| La lámpara de otro elemento es un accesorio opcional. |
| Rendimiento fotométrico | Modo de lectura | Transmitancia, absorbancia, concentración. |
| Gama fotométrica | 0-125%, -0,1-3,00A |
| Deriva estática de la línea base (Cu) | ±0,003 A/30 min. | ±0,003 A/30 min. |
| Deriva dinámica de la línea base (Cu) | ±0,005 A/15 min. | ±0,005 A/15 min. |
| Corrección de antecedentes | Lámpara de deuterio≥ 40x (1Abs), autocebante≥ 80x (1Abs) (opcional) | Lámpara de deuterio≥ 40x (1Abs), autocebante≥ 80x (1Abs) (opcional) |
| Sistema de llamas | Concentración característica (Cu) | ≤0.035ug/ml | ≤0.035ug/ml |
| Límite de detección (Cu) | ≤0,006 ug/ml | ≤0,004 ug/ml |
| Repetibilidad (Cu) | RSD≤0,6% | RSD≤0.5% |
| Control de flujo de acetileno | Automático de 12 niveles |
| Control de asistencia de aire | Automático de 4 niveles |
| Elevación del quemador | Elevación automática |
| Cabeza de quemador | Quemador de titanio de 100 mm. |
| Nebulizador | Nebulizador de vidrio de alta eficiencia |
| Cámara de pulverización | Cámara de pulverización de material resistente a la corrosión |
| Protección contra la seguridad | Corta automáticamente el gas en caso de baja presión, corte de energía, llama o quemador no coincidente. |
| Horno de grafito | Cantidad característica | Cd≤0.8pg, Cu≤20pg | Cd≤0.8pg, Cu≤20pg |
| Límite de detección | Cd≤1.0pg,Cu≤10pg | Cd≤0.8pg, Cu≤5pg |
| Repetibilidad (Cd) | RSD≤3% | RSD≤2,5% |
| Rango de calentamiento del horno de grafito | Temperatura ambiente-3000 ℃ |
| Gama de calefacción de alta potencia | 1500-3000℃ |
| Pendiente y tiempo de espera | 1s-255s |
| Tasa de calefacción | Velocidad máxima de calentamiento 2000°C/s |
| Modo de calentamiento por atomización | Calefacción controlada por luz, Calefacción controlada por tiempo, Calefacción general |
| Tubería exterior de flujo de gas protector | 1 L/min |
| Flujo de gas protector dentro de la tubería | 4 velocidades ajustables (flujo de 0, 50, 200, 250 ml/min) |
| Protección contra la seguridad | Flujo de agua de refrigeración, Presión del gas protector, Temperatura del cuerpo del horno, Temperatura de la fuente de alimentación, Alarma de instalación del horno de grafito |
| Proceso de datos | Método de medición | Método de medición |
| Método de cálculo de la concentración | Método de cálculo de la concentración. |
| Repetir tiempos de medición | Repetir tiempos de medición |
| Impresión de informes | Impresión de informes |
| Otro | Computadora | Conexión externa |
| Temperatura ambiente | 10 ℃ -30 ℃ |
| Humedad ambiental | 40%-85% |
| Fuente de alimentación | 220V, 50/60HZ |
| Tamaño externo (WXDXH) (mm) | 830x650x560 |
| Tamaño de envío (WXDXH) (mm) | 1000x780x810 |
| NW/GW (KG) | 110/130 |
| Accesorio estándar | Software, Cd Lámpara de cátodo hueco, Pipeta |
| Accesorio opcional | Computadora, impresora, inyector automático, sistema de recirculación de agua de refrigeración |
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